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存儲(chǔ)巨頭們，都盯上了HBM
未來(lái)，HBM在移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的滲透將圍繞端側(cè)AI性能提升和低功耗設(shè)計(jì)展開(kāi)，技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同是關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。光刻機(jī)爭(zhēng)奪戰(zhàn)
在全球范圍內(nèi)，臺(tái)積電、英特爾和三星等半導(dǎo)體巨頭之間的競(jìng)爭(zhēng)正在升溫，它們競(jìng)相獲得2nm以下工藝的High NA EUV設(shè)備。英特爾于2023年12月率先獲得該設(shè)備，臺(tái)積電于2024年第三季度緊隨其后。盡...干掉HBM?
HBM因AI而興，在大模型中扮演著不可或缺的角色，這是毋庸置疑的，但HBM也在面臨著各種挑戰(zhàn)，尤其是更多具備成本優(yōu)勢(shì)的方案在不斷涌現(xiàn)，如果HBM不能通過(guò)其他方式來(lái)降低成本，它未來(lái)的地位就恐怕有點(diǎn)危險(xiǎn)了...HBM的意外贏家
19世紀(jì)淘金熱時(shí)期的那個(gè)道理被再一次證明：賣(mài)鏟子，有時(shí)比挖金子更賺錢(qián)。把SK海力士拉下馬
在過(guò)去，HBM更多是標(biāo)準(zhǔn)品的競(jìng)爭(zhēng)。但從SK海力士Park Myeong-Jae 的介紹中我們得知，這在未來(lái)將是一場(chǎng)定制化競(jìng)爭(zhēng)。內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出
隨著AI服務(wù)器的發(fā)展，HBM迅速走紅，相關(guān)芯片的制造和封裝是當(dāng)下產(chǎn)業(yè)的熱點(diǎn)話題。隨著應(yīng)用的發(fā)展和技術(shù)水平的提升，未來(lái)幾年，3D DRAM很可能會(huì)替代當(dāng)下HBM的行業(yè)地位，因此，相關(guān)芯片制造和半導(dǎo)體設(shè)備...押注AI的第二波大贏家
內(nèi)存芯片周期加速?gòu)?fù)蘇的預(yù)期日益兌現(xiàn)，對(duì)去年仍在大規(guī)模虧損的存儲(chǔ)芯片巨頭而言，改變命運(yùn)的時(shí)刻已經(jīng)到來(lái)。下一代HBM存儲(chǔ)器開(kāi)始量產(chǎn) ，首批產(chǎn)品將交付英偉達(dá)
HBM（高速寬帶存儲(chǔ)器）是面向AI的超高性能DRAM產(chǎn)品，也是當(dāng)下存儲(chǔ)廠商的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)HBM決賽圈，全球三家公司上牌桌
HBM的競(jìng)爭(zhēng)，在OpenAI帶火新一輪AI浪潮之前，就已經(jīng)在產(chǎn)業(yè)鏈上隱秘發(fā)生，但直到2023年才真正走到了臺(tái)前。存儲(chǔ)大廠，開(kāi)卷CXL
在2024年年初，我們可以用一句話來(lái)形容，就是萬(wàn)事俱備，CXL只欠應(yīng)用這場(chǎng)東風(fēng)了。2024半導(dǎo)體復(fù)蘇，關(guān)鍵看存儲(chǔ)
此外，根據(jù)HBM產(chǎn)量，SK海力士有可能在DRAM市場(chǎng)超越三星。另一方面，NAND銷(xiāo)售額持續(xù)下滑的鎧俠處境危急，可能會(huì)發(fā)生某種重組。HBM「狂飆」，算力突圍
從存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈看，SK海力士、三星等大廠采用IDM模式，一手包辦了芯片的設(shè)計(jì)、制造和封測(cè)。而國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈還是比較邊緣，主要處于HBM上游設(shè)備和材料供應(yīng)環(huán)節(jié)。但國(guó)內(nèi)相關(guān)HBM概念股也有所受益。有消...美光，押錯(cuò)寶
目前來(lái)看，HBM是一個(gè)更好的切入口，它在新型DRAM的市場(chǎng)和利潤(rùn)間取得了一個(gè)微妙平衡，但看似先進(jìn)的HMC最終會(huì)被納入JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的HBM所擊敗，美光空耗了六七年時(shí)間，最終甜美果實(shí)卻被韓廠摘走，讓人感...存儲(chǔ)巨頭，擺脫魔咒？
對(duì)于SK海力士來(lái)說(shuō)，HBM乃是千載難逢的機(jī)會(huì)，作為韓系存儲(chǔ)雙子星，一直以來(lái)都活在了三星的陰影之下，默默尋找著反超的機(jī)會(huì)。HBM技術(shù)，如何發(fā)展？
雖然目前業(yè)界都在集中研發(fā)HBM3的迭代產(chǎn)品，但是廠商們?yōu)榱藸?zhēng)奪市場(chǎng)的話語(yǔ)權(quán)，對(duì)于未來(lái)HBM技術(shù)開(kāi)發(fā)有著各自不同的見(jiàn)解與想法。干掉硅中介層？
無(wú)論是哪種技術(shù)，都各有優(yōu)劣，也永遠(yuǎn)面對(duì)新的瓶頸和挑戰(zhàn)，需要根據(jù)實(shí)際需求來(lái)進(jìn)行設(shè)計(jì)和選擇。但萬(wàn)變不離其宗，持續(xù)提升性能、降低成本，無(wú)疑是行業(yè)發(fā)展永久的“必殺技”。HBM，大戰(zhàn)再起
HBM作為今后AI時(shí)代的必備材料，在最近記憶半導(dǎo)體的不景氣中也有很大的收益性。雖然在內(nèi)存市場(chǎng)中比例還不大，但據(jù)說(shuō)盈利能力是其他DRAM的5-10倍。存儲(chǔ)，怎么看？
預(yù)測(cè)HBM 制造商將從 HBM3+ 一代開(kāi)始采用混合鍵合，每個(gè)堆棧具有 16 個(gè)DRAM 芯片。
半導(dǎo)體行業(yè)觀察
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫
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