GaN市場，蓄勢待發(fā)
GaN作為第三代寬禁帶半導體核心材料之一，具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)良特性，是制作寬波譜、高功率、高效率光電子、電力電子和微電子的理想材料。重磅！英偉達最新800V架構供應商名單曝光、英諾賽科成中國唯一入選芯片企業(yè)
在WAIC 2025“高效、智能、綠色”的主題下，這場由供電技術引發(fā)的能效革命，正為全球AI產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展注入新動能。曾毓群投她：英諾賽科要IPO了
公司身后是一位女博士，駱薇薇。2017年，英諾賽科成立，她帶隊攻克鮮少有人敢嘗試的8英吋硅基氮化鎵工藝技術。7年過去，英諾賽科已坐擁全球最大的8英吋硅基氮化鎵晶圓制造廠，估值超200億元。至今，駱薇薇...女科學家?guī)С鲆粋€IPO，估值超235億
作為海歸創(chuàng)業(yè)項目，英諾賽科背后投資機構陣容龐大，還有地方支持，駱微微向自己創(chuàng)業(yè)生涯的第 一個IPO發(fā)起沖擊。「英諾賽科」完成近30億元D輪融資，鈦信資本領投
英諾賽科于2015年成立，是第三代半導體硅基氮化鎵領域全球龍頭，也是全球唯一實現(xiàn)同時量產(chǎn)氮化鎵高、低壓芯片的IDM企業(yè)。
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